要求（專利）號：CN200610114105.5要求日：2006.10.27
揭露（布告）號：CN101170147揭露（布告）日：2008.04.30
主分類號：H01L31/109(2006.01)I領域分類：
分類號：H01L31/109(2006.01)I；H01L31/18(2006.01)I
要求（專利權）人：中國科學院物理研究所
地址：100080北京市海淀區中關村南三街8號
國省代碼：北京；11
創造（規劃）人：孫志輝；周岳亮；寧廷銀；曹玲柱；張洪艷；陸珩；劉知韻
專利署理組織：北京泛華偉業知識產權署理有限公司
署理人：高存秀
★ 摘要
   本創造供給了一種從深紫外至遠紅外光的探測器及制備辦法，該探測器包含：一基底、榜首電極、第二電極和電極引線；其特征在于，所述的基底為n型SiC片，還包含在SiC的基底上成長一層p型的La1-xSrxMnO3光呼應資料層，其間光呼應資料層厚度為0.8nm-2μm；所述的La1-xSrxMnO3光呼應資料層，其間x為0.01-0.5；榜首電極設置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層上，第二電極設置在SiC的基底上，榜首電極引線和第二電極引線別離連接在榜首電極和第二電極上。該制備辦法包含選用慣例的制膜設備和技術，首要制出La1-xSrxMnO3/SiC異質結資料，然后再制造光探測器。當光照耀探測器后直接發生電壓信號，不需要任何輔佐的電源和電子電路。其呼應波段從紫外到遠紅外，光生電壓信號可達數百mV。
★ 主權項
    一種從深紫外至遠紅外光的探測器，包含：一基底、榜首電極、第二電極和電極引線；其特征在于，所述的基底為n型SiC片，還包含再在SiC的基底上成長一層p型的La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層，薄膜厚度為0.8nm-2μm；所述的La1-xSrxMnO3光呼應資料層，其間x為0.01-0.5；榜首電極設置在La1-xSrxMnO3氧化物薄膜的光呼應資料層上，第二電極設置在SiC的基底上，榜首電極引線和第二電極引線連接在電極上。